可控硅模块

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	CTT116GK16 CTT116GK16	阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控CTT116GK16 。我公司生产25A到90A/1600V单向可控硅及40A到60A/1600V双向可控硅，欢迎来电洽谈13776859705
	160A可控硅 TYN160C	正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压联系电话：13776859705，我公司专业生产单双向可控硅、整流二极管及可控硅模块，欢迎来电洽谈！！160A可控硅
	100A可控硅 TYN100C	由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。联系电话：13776859705，我公司专业生产单双向可控硅、整流二极管及可控硅模块，欢迎来电洽谈！！100A可控硅
	60A可控硅 TYN60H	触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。联系电话：13776859705我公司专业生产单双向可控硅、整流二极管及可控硅模块，欢迎来电洽谈！！60A可控硅
	60A双向可控硅 BTA61	一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。联系电话：13776859705，我公司专业生产单双向可控硅、整流二极管及可控硅模块，欢迎来电洽谈！！60A双向可控硅
	16A双向可控硅 BTA16	在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。联系电话：13776859705，我公司专业生产单双向可控硅、整流二极管及可控硅模块，欢迎来电洽谈！！16A双向可控硅
	可控硅模块 CTT116GK16	可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。联系电话：13776859705，我公司专业生产单双向可控硅、整流二极管及可控硅模块，欢迎来电洽谈！！