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双向可控硅电流上升率的抑制


       双向可控硅电流上升率的抑制:电流上升率的影响主要表现在以下两个方面:
  ①dIT/dt(导通时的电流上升率)—当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通,门极临近处立即导通,然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限,即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁,并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值,双向可控硅可能可以幸存。因此,假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出,可在负载上串联一个几μH的不饱和(空心)电感。
  ②dICOM/dt (切换电流变化率) —导致高dICOM/dt值的因素是:高负载电流、高电网频率(假设正弦波电流)或者非正弦波负载电流,它们引起的切换电流变化率超出最大的允许值,使双向可控硅甚至不能支持50Hz 波形由零上升时不大的dV/dt,加入一几mH的电感和负载串联,可以限制dICOM/dt。
为了解决高dv/dt及di/dt引起的问题,还可以使用Hi-Com 双向可控硅,它和传统的双向可控硅的内部结构有差别。差别之一是内部的二个“闸流管”分隔得更好,减少了互相的影响。这带来下列好处:
  ①高dVCOM/dt。能控制电抗性负载,在很多场合下不需要缓冲电路,保证无故障切换。这降低了元器件数量、底板尺寸和成本,还免去了缓冲电路的功率耗散。
  ②高dICOM/dt。切换高频电流或非正弦波电流的性能大为改善,而不需要在负载上串联电感,以限制dICOM/dt。
  ③高dvD/dt(断开状态下电压变化率)。双向可控硅在高温下更为灵敏。高温下,处于截止状态时,容易因高dV/dt下的假触发而导通。Hi-Com双向可控硅减少了这种倾向。从而可以用在高温电器,控制电阻性负载,例如厨房和取暖电器,而传统的双向可控硅则不能用。

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